用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，經(jīng)培養(yǎng)、攪拌、離心后，檢測(cè)到上清液的放射性低，沉淀物的放射性高。上清液帶有放射性的原因可能是


  1. A.
    培養(yǎng)時(shí)間過長(zhǎng)
  2. B.
    培養(yǎng)時(shí)間過短
  3. C.
    攪拌不充分
  4. D.
    離心時(shí)轉(zhuǎn)速過高
AB
32P標(biāo)記后，正常情況上清液中只有噬菌體外殼（蛋白質(zhì)不含P），因此沒有放射性，沉淀中有被注入噬菌體DNA（含32P）的大腸桿菌，因此有放射性。
若培養(yǎng)時(shí)間過短，則有部分噬菌體沒將DNA（含32P）注入大腸桿菌，離心后它們留在上清液中；若培養(yǎng)時(shí)間過長(zhǎng)，則有部分大腸桿菌已裂解釋放子代噬菌體（部分噬菌體DNA一條鏈含32P），離心后它們也在上清液中，這兩種情況上清液都會(huì)帶有放射性。
攪拌和離心的目的（參B2P45第1節(jié)第5行起）都是設(shè)法將空外殼和被注入噬菌體DNA的大腸桿菌分開；若攪拌不充分，極端情況可設(shè)為所有空外殼均附著在大腸桿菌上進(jìn)入沉淀，則上清液無外殼也無放射性，即使攪拌充分，在培養(yǎng)時(shí)間適宜時(shí)，進(jìn)入上清液的也只有空外殼，也沒有放射性，所以攪拌程度并不是上清液有放射性的決定因素。
離心是利用比重不同分離物質(zhì)的一種方法，在培養(yǎng)時(shí)間適宜時(shí)，轉(zhuǎn)速高低只影響上清液空外殼集中程度，影響沉淀中被注入噬菌體DNA的大腸桿菌的集中程度，并不影響放射性。
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目：高中生物 來源： 題型：

用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，經(jīng)培養(yǎng)、攪拌、離心、檢測(cè)，上清液的放射性占15%，沉淀物的放射性占85%。上清液帶有放射性的原因可能是(　　)

A．噬菌體侵染大腸桿菌后，大腸桿菌裂解釋放出子代噬菌體

B．?dāng)嚢璨怀浞�，吸附在大腸桿菌上的噬菌體未與細(xì)菌分離

C．離心時(shí)間過長(zhǎng)，上清液中析出較重的大腸桿菌

D.32P標(biāo)記了噬菌體蛋白質(zhì)外殼，離心后存在于上清液中

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科目：高中生物 來源：2012-2013學(xué)年遼寧省實(shí)驗(yàn)中學(xué)分校高二上學(xué)期期中考試生物試卷（帶解析） 題型：單選題

用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，經(jīng)培養(yǎng)．?dāng)嚢瑁x心．檢測(cè)，上清液的放射性占15%，沉淀物的放射性占85%。上清液帶有放射性的原因可能是（   ）

A．離心時(shí)間過長(zhǎng)，上清液中析出較重的大腸桿菌
B．?dāng)嚢璨怀浞�，吸附在大腸桿菌上的噬菌體未與細(xì)菌分離
C．噬菌體侵染大腸桿菌后，大腸桿菌裂解釋放出子代噬菌體
D．32P標(biāo)記了噬菌體蛋白質(zhì)外殼，離心后存在于上清液中

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科目：高中生物 來源：2011-2012學(xué)年江蘇省高三4月雙周練習(xí)（一）生物試卷（解析版） 題型：選擇題

用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，經(jīng)培養(yǎng)、攪拌、離心、檢測(cè)，上清液的放射性占10%，沉淀物的放射性占90%。上清液帶有放射性的原因可能是

A．離心時(shí)間過長(zhǎng)，上清液中析出較重的大腸桿菌

B．?dāng)嚢璨怀浞�，吸附在大腸桿菌上的噬菌體未與細(xì)菌分離

C．噬菌體侵染大腸桿菌后，大腸桿菌裂解釋放出子代噬菌體

D．32P標(biāo)記了噬菌體蛋白質(zhì)外殼，離心后存在于上清液中

 

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科目：高中生物 來源：2011-2012學(xué)年福建省四地六校高三期中聯(lián)考試題生物試卷 題型：選擇題

用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，經(jīng)培養(yǎng)、攪拌、離心、檢測(cè)，上清液的放射性占25%，沉淀物的放射性占75%。上清液帶有放射性的原因最有可能是

A．?dāng)嚢璨怀浞�，吸附在大腸桿菌上的噬菌體未與細(xì)菌分離

B．離心時(shí)間過長(zhǎng)，上清液中析出較重的大腸桿菌

C．32P標(biāo)記了噬菌體蛋白質(zhì)外殼，離心后存在于上清液中

D．培養(yǎng)時(shí)間過長(zhǎng),大腸桿菌裂解釋放出子代噬菌體

 

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某研究人員模擬赫爾希和蔡斯關(guān)于噬菌體侵入細(xì)菌實(shí)驗(yàn)，進(jìn)行了以下4個(gè)實(shí)驗(yàn)：

①用未標(biāo)記的噬菌體侵染35S標(biāo)記的細(xì)菌    ②用 32P標(biāo)記的噬菌體侵染未標(biāo)記的細(xì)菌

③用未標(biāo)記的噬菌體侵染3H標(biāo)記的細(xì)菌    ④用15N標(biāo)記的噬菌體侵染未標(biāo)記的細(xì)菌

以上4個(gè)實(shí)驗(yàn)，經(jīng)過一段時(shí)間后離心，檢測(cè)到放射性主要部位是

A．沉淀、沉淀、沉淀和上清液、沉淀和上清液

B．沉淀、上清液、沉淀、沉淀和上清液

C．上清液、上清液、沉淀和上清液、上清液

D．沉淀、沉淀、沉淀、沉淀和上清液

 

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