如圖,在圖甲裝置A與裝置B中敞口培養(yǎng)相同數(shù)量的小球藻,以研究光照強度對小球藻產(chǎn)生氧氣量的影響。裝置A的曲線如圖乙。據(jù)圖分析,下列敘述正確的是

A.P點處能產(chǎn)生ATP的場所只有線粒體

B.適當(dāng)降低溫度,P點將下移

C.在圖乙上繪制裝置B的曲線,R點應(yīng)下移

D.在圖乙上繪制裝置B的曲線,Q點應(yīng)左移

C


解析:

圖乙P時小球藻只進行呼吸作用,但呼吸作用第一階段在細胞基質(zhì)中進行,故產(chǎn)生ATP的場所有細胞基質(zhì)和線粒體,A錯。適當(dāng)降低溫度呼吸作用強度下降,P點上移,B錯。裝置B中缺鎂,而鎂是合成葉綠素的必需元素,B中小球藻光合作用強度小于A中小球藻光合作用強度,但同一溫度下呼吸強度相同,因此Q點右移,R點下移,故C對,D錯。

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如圖,在圖甲裝置A與裝置B中敞口培養(yǎng)相同數(shù)量的小球藻,以研究光照強度對小球藻產(chǎn)生氧氣的影響。裝置A的曲線如圖乙。據(jù)圖分析,下列敘述正確的是

[  ]
A.

P點處能產(chǎn)生ATP的場所只有線粒體

B.

適當(dāng)降低溫度,P點將下降

C.

在圖乙上繪制裝置B的曲線,R點應(yīng)下移

D.

在圖乙上繪制裝置B的曲線,Q點應(yīng)左移

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球藻產(chǎn)生氧氣的影響。裝置A的曲線如圖乙。據(jù)圖分析,下列敘述正確的是

A.P點處能產(chǎn)生ATP的場所只有線粒體

B.適當(dāng)降低溫度,P點將下降

C.在圖乙上繪制裝置B的曲線,R點應(yīng)下移

D.在圖乙上繪制裝置B的曲線,Q點應(yīng)左移

 

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如圖,在圖甲裝置A與裝置B中敞口培養(yǎng)相同數(shù)量的小球藻,以研究光照強度對小

球藻產(chǎn)生氧氣的影響。裝置A的曲線如圖乙。據(jù)圖分析,下列敘述正確的是

A.P點處能產(chǎn)生ATP的場所只有線粒體

B.適當(dāng)降低溫度,P點將下降

C.在圖乙上繪制裝置B的曲線,R點應(yīng)下移

D.在圖乙上繪制裝置B的曲線,Q點應(yīng)左移

 

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如圖,在圖甲裝置A與裝置B中敞口培養(yǎng)相同數(shù)量的小球藻,以研究光照強度對小球藻產(chǎn)生氧氣量的影響。裝置A的曲線如圖乙。據(jù)圖分析,下列敘述正確的是 (  )

A.P點處能產(chǎn)生ATP的場所只有線粒體

B.適當(dāng)降低溫度,P點將下移

C.在圖乙上繪制裝置B的曲線,R點應(yīng)下移

D.在圖乙上繪制裝置B的曲線,Q點應(yīng)左移

 

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